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FDN306P - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDN306P

Hersteller Teil #: FDN306P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDN306P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Number of Pins

Supplier Device Package

SuperSOT-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

38 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2001

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Termination

SMD/SMT

Resistance

40MOhm

Max Operating Temperature

150°C

Min Operating Temperature

-55°C

Voltage - Rated DC

-12V

Current Rating

-2.6A

Voltage

12V

Element Configuration

Single

Current

26A

Power Dissipation

500mW

Turn On Delay Time

11 ns

FET Type

P-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1138pF @ 6V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Rise Time

10ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Vgs (Max)

±8V

Fall Time (Typ)

10 ns

Continuous Drain Current (ID)

-2.6A

Threshold Voltage

-600mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

Drain to Source Breakdown Voltage

-12V

Dual Supply Voltage

-12V

Input Capacitance

1.138nF

Drain to Source Resistance

40mOhm

Rds On Max

40 mΩ

Nominal Vgs

-600 mV

Height

940μm

Length

2.92mm

Width

1.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDN306P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
FDN339AN	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
IRLML6401TRPBF	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
FDN304PZ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
IRLML6401GTRPBF	TO-236-3

FDN306P Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 563250 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.49256

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.49256
10+:	$0.46468
100+:	$0.43838
500+:	$0.41357
1000+:	$0.39016

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